企業(yè)介紹——
EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換公司）于2007年11月成立，是基于氮化鎵（GaN）功率管理技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商，公司不僅僅致力于提高電力效率，更利用氮化鎵技術(shù)推動(dòng)了五年前不可能實(shí)現(xiàn)的并顯著提升生活的全新應(yīng)用。由于多種應(yīng)用例如從無線電源傳送、全自動(dòng)汽車以至高速移動(dòng)通信、低成本衛(wèi)星及醫(yī)療護(hù)理應(yīng)用都不斷蛻變，因此氮化鎵技術(shù)成為勇于革新、持續(xù)前進(jìn)和渴望保持行業(yè)領(lǐng)先地位的公司的首選技術(shù)。
60年以來氮化鎵元件是是第一種具備更高性能及更低成本的元件并可以替代硅元件。目前宜普公司與全球多家領(lǐng)先行業(yè)的公司攜手利用氮化鎵使能技術(shù)推動(dòng)它們的新一代技術(shù)的發(fā)展。使用氮化鎵產(chǎn)品的公司可以避免因?yàn)槭褂门f有硅器件而落后、推動(dòng)公司業(yè)務(wù)增長(zhǎng)及提升終端用戶價(jià)值。
主要應(yīng)用——
1.車載
隨著自動(dòng)駕駛汽車和電力推進(jìn)驅(qū)動(dòng)業(yè)界的發(fā)展，汽車技術(shù)進(jìn)入了復(fù)興時(shí)期，這也是硅在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到其性能極限的時(shí)候。 汽車電子可以充分利用 氮化鎵器件的優(yōu)勢(shì) - 效率更高、快速、更小和成本更低。 與老化的硅 MOSFET 相比，可以發(fā)揮氮化鎵器件的優(yōu)勢(shì)的幾個(gè)大型應(yīng)用逐漸出現(xiàn)，包括 48 V 混合和電動(dòng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)和自主導(dǎo)航、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和信息娛樂系統(tǒng)。
2.數(shù)據(jù)
行業(yè)對(duì)信息的需求正在以前所未有的速度增長(zhǎng)，而且沒有緩和的跡象。隨著對(duì)云計(jì)算、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和游戲等高密度計(jì)算應(yīng)用的需求急劇增加，數(shù)據(jù)中心的能耗可能很快就佔(zhàn)全球8%。該能耗大部分是從低效的供電架構(gòu)而來。由于氮化鎵器件顯著改善效率，而且更小的外形尺寸和更高的開關(guān)頻率可實(shí)現(xiàn)更小型化，因此氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度且降低數(shù)據(jù)中心的總體擁有成本（TCO）。
3.工業(yè)
采用氮化鎵器件的安全、高效和可靠的工業(yè)應(yīng)用包括無人機(jī)、電動(dòng)汽車、用于工廠自動(dòng)化的機(jī)器人、服務(wù)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、用于高分辨率機(jī)器視覺的精密電子、高效和安靜的電機(jī)、具高功率密度的功率轉(zhuǎn)換，以及高效的諧振無線電源等應(yīng)用。 氮化鎵晶體管和集成電路憑證其高效、小尺寸、輕盈和低成本等優(yōu)勢(shì)，成為以上各種應(yīng)用的重要元件。 EPC 公司的GaN FET和IC的電壓范圍為15 V至350 V，涵蓋廣泛的工業(yè)應(yīng)用。
踏板車、電動(dòng)自行車和其他微型移動(dòng)解決方案的迅速發(fā)展，為有線和無線充電器和小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器開辟了新市場(chǎng)。
無人機(jī)已經(jīng)不只是玩具和工具，它們?cè)絹碓蕉嘤糜谶\(yùn)送醫(yī)療物資、檢查離岸設(shè)備，甚至涵蓋消防等任務(wù)。隨著進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)載荷交付，范圍和載荷可轉(zhuǎn)化為價(jià)值和利潤(rùn)。
在所有這些工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵晶體管和集成電路可實(shí)現(xiàn)最高效率、最輕重量和最可靠的解決方案。
4.航空
用于航太、高空飛行或高可靠性軍事應(yīng)用等嚴(yán)峻環(huán)境的電子器件需要最佳的系統(tǒng)級(jí)性能和可靠性。與老化的硅器件相比，GaN FET和IC更小、更輕、效率更高、可靠性更高和成本更低。這為衛(wèi)星功率和數(shù)據(jù)傳輸、機(jī)器人、無人機(jī)和航空功率系統(tǒng)提供了全新的架構(gòu)。太空系統(tǒng)包括太空計(jì)劃、衛(wèi)星巴士、太空探索和服務(wù)供應(yīng)商。
商用現(xiàn)貨(COTS)GaN FET具有固有的耐輻射性能。對(duì)于需要抗輻射額定器件的應(yīng)用，耐輻射氮化鎵器件系列（EPC7000）專為高可靠性應(yīng)用或商業(yè)衛(wèi)星航用于航太環(huán)境的關(guān)鍵應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些產(chǎn)品在總電離劑量(TID)和單粒子效應(yīng)(SEE)環(huán)境下展示出卓越的耐輻射性能。
5.消費(fèi)
消費(fèi)電子設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng)、需求和創(chuàng)新需要執(zhí)行越來越多的耗電任務(wù)，但仍要保持小巧輕便，這需要更高效、更小和成本更低的電子系統(tǒng)。面向消費(fèi)電子應(yīng)用，GaN FET和IC為e-mobility、具有高保真度的娛樂系統(tǒng)和高性能電源供電提供具有更高功率密度的解決方案。
6.醫(yī)療
半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步正在提高患者護(hù)理標(biāo)準(zhǔn)并同時(shí)降低醫(yī)療成本。氮化鎵器件具備高頻開關(guān)和小尺寸的優(yōu)勢(shì)正在改善醫(yī)療機(jī)器人和診斷等現(xiàn)有應(yīng)用，而且推動(dòng)醫(yī)療設(shè)備和非侵入性診斷等新應(yīng)用的發(fā)展。
7.通信
現(xiàn)代寬帶通信系統(tǒng)需要大通信容量和高速，而且必需符合要求嚴(yán)格的能源效率目標(biāo)。新興的第五代 (5G) 無線系統(tǒng)的LTE標(biāo)準(zhǔn)需要更寬的帶寬、延遲時(shí)間更長(zhǎng)和極高的可靠性。面向通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的GaN FET 和 IC 可實(shí)現(xiàn)高可靠性和高效的電源轉(zhuǎn)換，以支持所需的大通信容量和高速標(biāo)準(zhǔn)。
EPC(宜普)
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